International Patent
2001.01.01 ~ (update 2013.02.27) 32 건
(미국: 32건, 대만: 5건, 중국: 5건, 일본 2건)
1. 그래핀 산화물의 부분환원을 이용한 탄소기반 전자소자 및 이의 제조방법
(All-carbon single layer integrated circuit manufacturing methods and its application with localized reduction of graphene oxide)
(발명인) 김용수, 최학순
(한국) 출원일자 2014-03-07 출원번호 PCT/KR2014/001877
(한국) 등록일자 등록번호
2. Transistor including bulb-type recess channel and method for fabricating the same
(발명인) Lim, Kwan-Yong; Yang, Hong-Seon; Sheen, Dong-Sun; Jang, Se-Aug; Cho, Heung-Ja; Kim, Yong-Soo; Sung, Min-Gyu; Kim, Tae-Yoon
(미국) 출원일자 2011-09-23 출원번호 2011-244199
(미국) 등록일자 2012-12-11 등록번호 8,330,215
3. Semiconductor device with gate structure
(발명인) Sung, Min-Gyu; Yang, Hong-Seon; Cho, Heung-Jae; Kim, Yong-Soo; Lim, Kwan-Yong;
(미국) 출원일자 2010-08-23 출원번호 2010-861679
(미국) 등록일자 2012-11-27 등록번호 8,319,341
4. Non-volatile memory device
(발명인) Joo, Moon Sig; Pyi, Seung Ho; Kim, Yong Soo
(미국) 출원일자 2011-04-19 출원번호 2011-089865
(미국) 등록일자 2012-10-23 등록번호 8,294,200
5. Semiconductor device with bulb-type recessed channel and method for fabricating the same
(발명인) Kim, Yong Soo; Yang, Hong Seon; Jang, Se Aug; Pyi, Seung Ho; Hong, Kwon; Cho, Heung Jae;
Lim, Kwan Yong; Sung, Min Gyu; Lee, Seung Ryong; Kim, Tae Yoon
(미국) 출원일자 2010-11-23 출원번호 2010-953255
(미국) 등록일자 2012-10-16 등록번호 8,288,819
6. Nonvolatile memory device with multiple blocking layers and method of fabricating the same
(발명인) Cho, Heung-Jae;Joo, Moon-Sig; Kim, Yong-Soo; Choi, Won-Joon
(미국) 출원일자 2010-11-06 출원번호 2011-166273
(미국) 등록일자 2012-08-14 등록번호 8,241,974
7. Semiconductor device with vertical channel transistor
(발명인) Sung, Min-Gyu; Cho, Heung-Jae; Kim, Yong-Soo; Lim, Kwan-Yong; Jang, Se-Aug
(미국) 출원일자 2010-05-07 출원번호 2010-776318
(미국) 등록일자 2012-08-07 등록번호 8,237,220
8. Method of fabricating non-volatile memory device
(발명인) Joo, Moon Sig; Cho, Heung Jae; Kim, Yong Soo; Choi, Won Joon
(미국) 출원일자 2010-09-29 출원번호 2010-894021
(미국) 등록일자 2012-01-31 등록번호 8,105,909
9. Transistor including bulb-type recess channel and method for fabricating the same
(발명인) Cho, Heung-Jae; Joo, Moon-Sig; Kim, Yong-Soo; Choi, Won-Joon
(미국) 출원일자 2011-03-14 출원번호 2011-047258
(미국) 등록일자 2011-10-08 등록번호 8,039,337
10. Nonvolatile memory device with multiple blocking layers and method of fabricating the same
(발명인) Lim, Kwan-Yong; Yang, Hong-Seon; Sheen, Dong-Sun; Jang, Se-Aug; Cho, Heung-Jae;
Kim, Yong-Soo; Sung, Min-Gyu; Kim, Tae-Yoon
(미국) 출원일자 2007-06-29 출원번호 2007-819888
(미국) 등록일자 2011-11-01 등록번호 8,048,742
11. Method for fabricating semiconductor device with an intermediate stack structure
(발명인) Lim, Kwan-Yong; Yang, Hong-Seon; Cho, Heung-Jae; Kim, Tae-Kyung; Kim, Yong-Soo;
Sung, Min-Gyu;
(미국) 출원일자 2007-12-07 출원번호 2007-952128
(미국) 등록일자 2011-08-30 등록번호 8,008,178
12. Semiconductor device and method for fabricating the same
(발명인) Kim, Yong-Soo; Yang, Hong-Seon; Pyi, Seung-Ho; Ahn, Tae-Hang (Assignee; Hynix Semiconductor Inc.)
(미국) 출원일자 2010-03-29 출원번호 2010-749176
(미국) 등록일자 2011-06-28 등록번호 7,968,912
13. Non-Volatile Memory Device Having Charge Trapping Layer and Method for Fabricating the Same
(발명인) Joo, Moon Sig; Pyi, Seung Ho; Kim, Yong Soo (Assignee; Hynix Semiconductor Inc.)
(미국) 출원일자 2007-06-29 출원번호 2007-770985
(미국) 등록일자 2011-05-24 등록번호 7,948,025
14. Nonvolatile memory device with multiple blocking layers and method of fabricating the same
(발명인) Cho, Heung-Jae; Joo, Moon-Sig Ho; Kim, Yong Soo; Choi, Won-Joon (Assignee; Hynix Semiconductor Inc.)
(미국) 출원일자 2009-04-27 출원번호 2009-430481 (2009.04.27)
(미국) 등록일자 2011-04-19 등록번호 7,928,493
15. Semiconductor device with gate stack structure
(발명인) Lim, Kwan-Yong; Yang, Hong-Seon; Cho, Heung-Jae; Kim, Tae-Kyun; Kim, Yong-Soo;
Sung, Min-Gyu, (Assignee; Hynix Semiconductor Inc.)
(미국) 출원일자 2007-09-26 출원번호 2007-862003
(미국) 등록일자 2011-03-08 등록번호 7,902,614
16. Semiconductor device with bulb-type recessed channel and method for fabricating the same
(발명인) Kim, Yong-Soo; Yang, Hong-Seon; Jang, Se-Aug; Pyi, Seung-Ho; Hong, Kwon; Cho, Heung-Jae;
Lim, Kwan-Yong; Sung, Min-Gyu; Lee, Seung-Ryong; Kim, Tae-Yoon (Assignee; Hynix Semiconductor Inc.)
(미국) 출원일자 2007-09-27 출원번호 2007-862453
(미국) 등록일자 2010-11-23 등록번호 7,838,364
외 16건
Domestic Patent
국내 등록 특허 (66건, 2006.01.01 ~ 현재, update 2013.02.27)
1. 그래핀계 탄소소재 전자소자 및 그 제조방법
(발명인) 김용수, 최학순, 이건희
(한국) 출원일자 2012-05-10 출원번호 10-2012-0049935
(한국) 등록일자 2013-12-27 등록번호 10-1347889
2. 반도체 소자의 표면 처리 방법 및 그 표면 처리 장치
(발명인) 김용수, 최학순
(한국) 출원일자 2010-07-07 출원번호 10-2010-0065368
(한국) 등록일자 2013-11-21 등록번호 10-1333831
3. 수직채널형 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법
(VERTICAL CHANNEL TYPE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME )
(발명인) 조흥재, 김용수, 김범용, 최원준
출원일자 2008-12-24 출원번호 10-2008-0133015
등록일자 2012-11-06 등록번호 10-1200488-00-00
3. 하드마스크질화막을 포함하는 반도체 소자의 게이트전극 및 그 형성 방법
(GATE-ELECTRODE OF SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING HARDMASK NITRIDE
AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME )
(발명인) 김용수, 양홍선, 장세억, 임관용, 조흥재, 손현철, 이정호, 오재근
출원일자 2003-12-29 출원번호 10-2003-0098469
등록일자 2011-09-28 등록번호 10-1070312-00-00
4. 반도체 장치의 고전압게이트절연막 형성 방법
(METHOD FOR FORMING HIGH VOLTAGE GATE OXIDE IN SEMICONDUCTOR DEVICE )
(발명인) 조흥재, 김용수, 최원준
출원일자 2008-08-29 출원번호 2008-0085420
등록일자 2011-07-13 등록번호 10-1050457-00-00
5. 반도체 장치 제조 방법 ( METHOD FOR MANUFCTURING SEMICONDUCTOR DEVICE )
(발명인) 김용수, 주문식, 조흥재, 최원준
출원일자 2008-10-08 출원번호 2008-0098625
등록일자 2011-05-18 등록번호 1036928
6. 전하트랩층을 갖는 불휘발성 메모리소자 및 그 제조 방법
(Non-volatile memory device having charge trapping layer and method of fabricating the same )
(발명인) 주문식, 피승호, 김용수
출원일자 2006-12-29 출원번호 2006-0138825
등록일자 2011-04-28 등록번호 1033221
7. 다층의 블록킹막을 구비하는 비휘발성메모리 장치 및 그 제조 방법
(NON VOLATILE MEMORY DEVICE WITH MULTI BLOCKING LAYER AND METHOD
FOR MANUFACTURING THE SAME)
(발명인) 조흥재, 주문식, 김용수, 최원준
출원일자 2008-04-30 출원번호 2008-0040832
등록일자 2011-03-30 등록번호 1027350
8. 자기터널접합 장치 제조 방법 (METHOD FOR FORMING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE )
(발명인) 최원준, 주문식, 조흥재, 김용수
출원일자 2008-08-07 출원번호 2008-0077491
등록일자 2011-02-09 등록번호 1015144
9. 수직 구조의 플래시 메모리소자 제조 방법 (Method for fabricating flash memory device of vertical structure)
(발명인) 김용수, 주문식, 박동수, 조흥재, 최원준
출원일자 2008-08-25 출원번호 2008-0082788
등록일자 2011-02-08 등록번호 1014854
10. 반도체 소자의 제조 방법 ( METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVIC )
(발명인) 최원준, 주문식, 조흥재, 김용수, 김범용
출원일자 2008-07-29 출원번호 2008-0074158
등록일자 2010-12-01 등록번호 09998946
11. 반도체 소자의 제조 방법 ( FABRICATING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE )
(발명인) 오재근, 김용수
출원일자 2003-07-22 출원번호 2003-0050244
등록일자 2010-11-24 등록번호 0997432
외 55건